IXTP1R6N50D2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.3 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

23.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

100 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Agotamiento

Embalaje:

Tubo

Producto:

MOSFET

Serie:

IXTP1R6N50

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

1.75 S

Otoño:

41 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

70 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Unidad de peso:

0.081130 oz

Tags

IXTP1R6, IXTP1R, IXTP1, IXTP, IXT