IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR

IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR
Mfr. #:
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR
Fabricante:
ISSI
Descripción:
SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
ISSI
Categoria de producto:
SRAM
RoHS:
Y
Tamaño de la memoria:
16 Mbit
Organización:
1 M x 16
Tiempo de acceso:
70 ns
Tipo de interfaz:
Parallel
Voltaje de suministro - Máx:
3.6 V
Voltaje de suministro - Min:
2.7 V
Corriente de suministro - Máx .:
30 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
TFBGA-48
Embalaje:
Carrete
Tipo de memoria:
SDR
Serie:
IS66WVE1M16EBLL
Escribe:
Asincrónico
Marca:
ISSI
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
SRAM
Cantidad de paquete de fábrica:
2500
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Tags
IS66WVE1M16E, IS66WVE1, IS66WVE, IS66WV, IS66W, IS66, IS6
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
PSRAM Async 16Mbit 1M X 16 70ns 48-Pin TFBGA T/R
***ark
16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V
***i-Key
IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA
Pseudo SRAM/CellularRAM
ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has a SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature which does not require physical refresh. These CellularRAM devics are designed in accordance to the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.
Imagen Parte # Descripción
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR

Mfr.#: IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR

OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
IS66WVE1M16EBLL-70BLI

Mfr.#: IS66WVE1M16EBLL-70BLI

OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-70BLI

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR

Mfr.#: IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR

OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR

SRAM 16Mb Pseudo SRAM Asynch/Page
IS66WVE1M16EBLL-70BLI

Mfr.#: IS66WVE1M16EBLL-70BLI

OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-70BLI-INTEGRATED-SILICON-SOLUTION

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
IS66WVE1M16EBLL-55BLI

Mfr.#: IS66WVE1M16EBLL-55BLI

OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-55BLI-INTEGRATED-SILICON-SOLUTION

SRAM 16Mb Pseudo SRAM Asynch/Page
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
3000
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
3,25 US$
3,25 US$
10
2,86 US$
28,60 US$
100
2,56 US$
256,00 US$
500
2,46 US$
1 230,00 US$
1000
2,19 US$
2 190,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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