SI7112DN-T1-E3

SI7112DN-T1-E3
Mfr. #:
SI7112DN-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7112DN-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAT
categoria de producto
FET - Single
Serie
SI71xxDx
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7112DN-T1
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PowerPAK-1212-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
1.5 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
10 ns
Hora de levantarse
10 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
12 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
11.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
7.5 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
65 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
10 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI7112DN-T1-E, SI7112DN-T, SI7112D, SI7112, SI711, SI71, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 30 V 7.5 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
***C
MOSFET N-CH 30V 11.3A
***
N-CH 30-V (D-S) FAST SWITCH
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:17800mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0082ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation, Pd:1.5W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7112DN-T1-E3
DISTI # SI7112DN-T1-E3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
On Order
  • 3000:$0.7170
SI7112DN-T1-E3
DISTI # SI7112DN-T1-E3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.7913
  • 500:$1.0023
  • 100:$1.2924
  • 10:$1.6350
  • 1:$1.8500
SI7112DN-T1-E3
DISTI # SI7112DN-T1-E3DKR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.7913
  • 500:$1.0023
  • 100:$1.2924
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SI7112DN-T1-E3
DISTI # SI7112DN-T1-E3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7112DN-T1-E3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
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SI7112DN-T1-E3
DISTI # 18X0019
Vishay IntertechnologiesMOSFET, N CHANNEL, 30V, 11.3A, POWERPAK 1212,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:11.3A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):0.006ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:600mV , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$1.9400
  • 10:$1.8800
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  • 250:$1.4100
  • 500:$1.3200
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SI7112DN-T1-E3
DISTI # 51K6981
Vishay IntertechnologiesN CH MOSFET, 30V, 17.8A, POWERPAK, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:17.8A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):8.2mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:12V,Threshold Voltage Vgs:1.5V , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.9920
  • 3000:$0.9850
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SI7112DN-T1-E3
DISTI # 781-SI7112DN-T1-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
  • 1:$2.0900
  • 10:$1.7300
  • 100:$1.3400
  • 500:$1.1800
  • 1000:$1.1300
  • 3000:$1.1200
SI7112DN-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10VAmericas -
    Imagen Parte # Descripción
    SI7112DN-T1-E3

    Mfr.#: SI7112DN-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-E3

    MOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V
    SI7112DN-T1-GE3

    Mfr.#: SI7112DN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-GE3

    MOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V
    SI7112DN-T1-GE3

    Mfr.#: SI7112DN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-GE3-VISHAY

    MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
    SI7112DN-T1-E3-CUT TAPE

    Mfr.#: SI7112DN-T1-E3-CUT TAPE

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-E3-CUT-TAPE-1190

    Nuevo y original
    SI7112DN

    Mfr.#: SI7112DN

    OMO.#: OMO-SI7112DN-1190

    Nuevo y original
    SI7112DN-T1

    Mfr.#: SI7112DN-T1

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-1190

    Nuevo y original
    SI7112DN-T1-E3CT

    Mfr.#: SI7112DN-T1-E3CT

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-E3CT-1190

    Nuevo y original
    SI7112DN-T1-GE3CT

    Mfr.#: SI7112DN-T1-GE3CT

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-GE3CT-1190

    Nuevo y original
    SI7112DN-T1-E3

    Mfr.#: SI7112DN-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7112DN-T1-E3-VISHAY

    MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    1500
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de SI7112DN-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
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    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
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    0,78 US$
    10
    0,74 US$
    7,37 US$
    100
    0,70 US$
    69,78 US$
    500
    0,66 US$
    329,50 US$
    1000
    0,62 US$
    620,30 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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