SQ4532AEY-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7.3 A, 5.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

21 mOhms, 56 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V, 2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

5.9 nC, 7.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

3.3 W, 3.3 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SQ

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

22 S, 5.5 S

Otoño:

19 ns, 16 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

17 ns, 17 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns, 19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 6 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

SQ4532A, SQ45, SQ4