RYE002N05TCL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-416-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

50 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

300 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.7 mm

Longitud:

1.6 mm

Producto:

MOSFET

Serie:

RYE002N05

Tipo de transistor:

1 N-channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

0.8 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

200 mS

Otoño:

43 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Parte # Alias:

RYE002N05

Unidad de peso:

0.000212 oz

Tags

RYE002N05T, RYE0, RYE