CSD86336Q3DT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VSON-CLIP-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.1 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

3.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

6 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

CSD86336Q3D

Tipo de transistor:

MOSFET de potencia

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

40 S

Otoño:

2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

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CSD8633, CSD86, CSD8, CSD