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C3M0065100J

C3M0065100J
Mfr. #:
C3M0065100J
Fabricante:
N/A
Descripción:
MOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
C3M0065100J Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Cree, Inc.
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Sic
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
TO-263-7
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:
35 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
65 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
1.8 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
15 V, - 4 V
Qg - Carga de puerta:
35 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
113.5 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Embalaje:
Tubo
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Marca:
Velocidad de lobo / Cree
Transconductancia directa - Mín .:
14.3 S
Otoño:
7.5 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
9 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
13 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
13 ns
Unidad de peso:
0.077603 oz
Tags
C3M00651, C3M006, C3M00, C3M0, C3M
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Components
In a Tube of 50, SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0065100J
***ark
Mosfet, N-Ch, 1Kv, 35A, To-263 Rohs Compliant: Yes
***i-Key
MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
***ment14 APAC
场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 35A, TO-263;
***hardson RFPD
SILICON CARBIDE MOSFETS
***nell
MOSFET, CA-N, 1KV, 35A, TO-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:35A; Tensione Drain Source Vds:1kV; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.065ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):15V; Tensione di Soglia Vgs:2.1V; Dissipazione di Potenza Pd:113.5W; Modello Case Transistor:TO-263; No. di Pin:7Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:C3M Series; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (12-Jan-2017)
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
C3M0065100J
DISTI # C3M0065100J-ND		WolfspeedMOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		1624In Stock
  • 1:$12.7700
C3M0065100J-TR
DISTI # C3M0065100J-TR-ND		Wolfspeed1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
RoHS: Not compliant
Min Qty: 1600
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 1600:$12.7680
C3M0065100J
DISTI # 941-C3M0065100J		Cree, Inc.MOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
RoHS: Compliant		1065
  • 1:$12.1600
  • 100:$11.6900
  • 500:$11.1200
C3M0065100J
DISTI # 2749950		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1KV, 35A, TO-263
RoHS: Compliant		919
  • 1:$19.4400
C3M0065100J
DISTI # 2749950		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1KV, 35A, TO-263
RoHS: Compliant		1965
  • 100:£9.4900
  • 50:£9.5700
  • 10:£9.6600
  • 5:£9.7400
  • 1:£10.3000
Imagen Parte # Descripción
BC856BW,115

Mfr.#: BC856BW,115

OMO.#: OMO-BC856BW-115

 Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7
C3M0120100J

Mfr.#: C3M0120100J

OMO.#: OMO-C3M0120100J

 MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
C3M0065090J

Mfr.#: C3M0065090J

OMO.#: OMO-C3M0065090J

 MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
GS66508T-E02-MR

Mfr.#: GS66508T-E02-MR

OMO.#: OMO-GS66508T-E02-MR

 MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
C3M0075120J

Mfr.#: C3M0075120J

OMO.#: OMO-C3M0075120J

 MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
C3M0120100J

Mfr.#: C3M0120100J

OMO.#: OMO-C3M0120100J-WOLFSPEED

 MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
GS66508T-E02-MR

Mfr.#: GS66508T-E02-MR

OMO.#: OMO-GS66508T-E02-MR-1190

 MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
C3M0075120J

Mfr.#: C3M0075120J

OMO.#: OMO-C3M0075120J-WOLFSPEED

 MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
C3M0065090J

Mfr.#: C3M0065090J

OMO.#: OMO-C3M0065090J-WOLFSPEED

 MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
BC856BW,115

Mfr.#: BC856BW,115

OMO.#: OMO-BC856BW-115-NEXPERIA

 Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1984
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