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C3M0120100J

C3M0120100J
Mfr. #:
C3M0120100J
Fabricante:
N/A
Descripción:
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
C3M0120100J Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
C3M0120100J más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Cree, Inc.
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Sic
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
TO-263-7
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:
22 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
120 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
1.8 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
15 V, - 4 V
Qg - Carga de puerta:
21.5 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
83 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Embalaje:
Tubo
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Marca:
Velocidad de lobo / Cree
Transconductancia directa - Mín .:
7.7 S
Otoño:
8 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
8 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
14 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
7 ns
Unidad de peso:
0.077603 oz
Tags
C3M01, C3M0, C3M
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Components
SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1000 V, 7 + Tab-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0120100J
***i-Key
MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
***ment14 APAC
场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 22A, TO-263;
***ark
1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
***hardson RFPD
SILICON CARBIDE MOSFETS
***nell
MOSFET, CA-N, 1KV, 22A, TO-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:22A; Tensione Drain Source Vds:1kV; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.12ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):15V; Tensione di Soglia Vgs:2.1V; Dissipazione di Potenza Pd:83W; Modello Case Transistor:TO-263; No. di Pin:7Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:C3M Series; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (12-Jan-2017)
C3M0120100J SiC Power MOSFET
Wolfspeed C3M0120100J SiC Power MOSFET reduces switching loss and minimizes gate ringing. This MOSFET increases system switching frequency and is suitable for fast switching devices. The C3M0120100J MOSFET includes typical turn-off delay time 14ns and turn-on delay time 7ns. This MOSFET operates at a temperature range from -55ºC to 150ºC. The C3M0120100J SiC MOSFET offers continuous drain current (Id) of 22A, VDS of 1000V, 120mΩ RDS(on), and 21.5nC Qg. This MOSFET incorporates high system efficiency, reduced cooling requirements, and increase power density.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
C3M0120100J
DISTI # V99:2348_17082086		Cree, Inc.SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES900
  • 1:$9.6899
C3M0120100J
DISTI # V36:1790_17082086		Cree, Inc.SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES0
  • 1000000:$6.2120
  • 500000:$6.2150
  • 100000:$6.6400
  • 10000:$7.4560
  • 1000:$7.5960
C3M0120100J
DISTI # C3M0120100J-ND		WolfspeedMOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		680In Stock
  • 100:$8.7248
  • 1:$8.7500
C3M0120100J
DISTI # 32035291		Cree, Inc.SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES900
  • 1:$9.6899
C3M0120100J
DISTI # 941-C3M0120100J		Cree, Inc.MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
RoHS: Compliant		777
  • 1:$8.7500
  • 100:$8.4100
  • 500:$8.0000
C3M0120100J
DISTI # 1503947		Cree, Inc.MOSFET N-CH 1000V 22A C3M SIC TO-263-7, TU382
  • 250:£6.0410
  • 150:£6.1640
  • 50:£6.4600
C3M0120100J
DISTI # 1503965		Cree, Inc.MOSFET N-CH 1000V 22A C3M SIC TO-263-7, EA196
  • 40:£6.3800
  • 20:£6.5100
  • 10:£6.6400
  • 1:£6.7800
C3M0120100J
DISTI # C3M0120100J		WolfspeedSILICON CARBIDE MOSFETS
RoHS: Compliant		970
  • 1:$7.5700
  • 11:$7.3400
  • 51:$7.0300
C3M0120100J
DISTI # 2749949		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1KV, 22A, TO-263
RoHS: Compliant		0
  • 1:$14.6000
Imagen Parte # Descripción
UCC21520DWR

Mfr.#: UCC21520DWR

OMO.#: OMO-UCC21520DWR

 Gate Drivers 4A/6A, 5KVrms Dual Isolated-channel Univ
MMBT3906-7-F

Mfr.#: MMBT3906-7-F

OMO.#: OMO-MMBT3906-7-F

 Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW
CD-MBL206SL

Mfr.#: CD-MBL206SL

OMO.#: OMO-CD-MBL206SL

 Bridge Rectifiers VRRM 600V 2A SMD MBLS Brdge Rectifier
IPN70R360P7SATMA1

Mfr.#: IPN70R360P7SATMA1

OMO.#: OMO-IPN70R360P7SATMA1

 MOSFET CONSUMER
SBR3U40P1-7

Mfr.#: SBR3U40P1-7

OMO.#: OMO-SBR3U40P1-7

 Schottky Diodes & Rectifiers POWERDI 123 3A 40V ULTRALOW VF
SD0603S040S0R2

Mfr.#: SD0603S040S0R2

OMO.#: OMO-SD0603S040S0R2

 Schottky Diodes & Rectifiers 40volts 0.2A SIZE 0603
MC78L05ACDR2G

Mfr.#: MC78L05ACDR2G

OMO.#: OMO-MC78L05ACDR2G

 Linear Voltage Regulators 5V 100mA Positive
IFX25001MEV33HTSA1

Mfr.#: IFX25001MEV33HTSA1

OMO.#: OMO-IFX25001MEV33HTSA1

 LDO Voltage Regulators Low Dropout Voltage Regulator
C3M0065100J

Mfr.#: C3M0065100J

OMO.#: OMO-C3M0065100J

 MOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
IFX25001MEV33HTSA1

Mfr.#: IFX25001MEV33HTSA1

OMO.#: OMO-IFX25001MEV33HTSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 IC REG LIN 3.3V 400MA SOT223-4
Disponibilidad
Valores:
725
En orden:
2708
Ingrese la cantidad:
El precio actual de C3M0120100J es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
8,75 US$
8,75 US$
100
8,41 US$
841,00 US$
500
8,00 US$
4 000,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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