APT60GA60JD60

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de silicio IGBT

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

600 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2 V

Corriente continua del colector a 25 C:

112 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

100 nA

Pd - Disipación de energía:

356 W

Paquete / Caja:

SOT-227-4

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Tubo

Altura:

9.6 mm

Longitud:

38.2 mm

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 55 C to + 150 C

Ancho:

25.4 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Voltaje máximo del emisor de puerta:

30 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

IGBT

Nombre comercial:

POWER MOS 8, ISOTOP

Unidad de peso:

1.058219 oz

Tags

APT60G, APT60, APT6, APT