CSD25202W15T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DSBGA-9

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

52 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

750 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

6 V

Qg - Carga de puerta:

5.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.62 mm

Longitud:

1.5 mm

Serie:

CSD25202W15

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.5 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

16 S

Otoño:

28 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

64 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Tags

CSD2520, CSD252, CSD25, CSD2, CSD