CSD25213W10

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DSBGA-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

67 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

850 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

6 V

Qg - Carga de puerta:

2.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.62 mm

Longitud:

1 mm

Serie:

CSD25213W10

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Otoño:

970 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

520 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

1 us

Tiempo típico de retardo de encendido:

510 ns

Unidad de peso:

0.000039 oz

Tags

CSD252, CSD25, CSD2, CSD