IRF6691TR1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DirectFET-MT

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

32 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.8 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

47 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.7 mm

Longitud:

6.35 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia HEXFET más diodo Schottky

Ancho:

5.05 mm

Marca:

Infineon / IR

Otoño:

10 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

95 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

23 ns

Parte # Alias:

SP001530888

Unidad de peso:

0.017637 oz

Tags

IRF669, IRF66, IRF6, IRF