NPT2022

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

MACOM

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN Si

Ganar:

21 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

160 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

3 V

Id - Corriente de drenaje continua:

24 mA

Potencia de salida:

100 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 85 C

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Embalaje:

Bandeja

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

2 GHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 40 C to + 85 C

Marca:

MACOM

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

200 mOhms

Cantidad de paquete de fábrica:

20

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 1.6 V

Tags

NPT202, NPT20, NPT2, NPT