FDB9503L-F085

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263AB-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

110 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

255 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

333 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

310 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

86 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

700 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Parte # Alias:

FDB9503L_F085

Unidad de peso:

0.046296 oz

Tags

FDB950, FDB95, FDB9, FDB