IPB120P04P4L03ATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

120 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

234 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

136 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.4 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

XPB120P04

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

9.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

57 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

85 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

21 ns

Parte # Alias:

IPB120P04P4L-03 IPB12P4P4L3XT SP000842284

Unidad de peso:

0.068654 oz

Tags

IPB120P, IPB120, IPB12, IPB1, IPB