ZXTN25100DGQTA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

100 V

Colector- Voltaje base VCBO:

180 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

7 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

120 mV

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

175 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

ZXTN25100

Ganancia de corriente CC hFE Max:

900 at 10 mA, 2 V

Embalaje:

Carrete

Marca:

Diodos incorporados

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

300 at 10 mA, 2 V

Pd - Disipación de energía:

1.2 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Transistores

Tags

ZXTN25100DG, ZXTN25100D, ZXTN251, ZXTN25, ZXTN2, ZXTN, ZXT