NPTB00004A

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

MACOM

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN Si

Ganar:

16 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.4 A

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Pd - Disipación de energía:

11.6 W

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Embalaje:

Bandeja

Frecuencia de operación:

6 GHz

Marca:

MACOM

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.6 Ohms

Cantidad de paquete de fábrica:

95

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 1.6 V

Unidad de peso:

0.007760 oz

Tags

NPTB0000, NPTB, NPT