BSP603S2L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

55 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

33 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.6 mm

Longitud:

6.5 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

16 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10.8 ns

Parte # Alias:

BSP603S2LHUMA1 BSP63S2LXT SP000431792

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

BSP603S2L, BSP603S, BSP603, BSP60, BSP6, BSP