CDM22012-800LRFP SL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220FP

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

370 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

52.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

40 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

UltraMOS

Embalaje:

Tubo

Producto:

MOSFET de potencia

Serie:

MDL

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia LR

Marca:

Semiconductor central

Otoño:

42.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

44.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

171.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

21.1 ns

Tags

CDM2201, CDM220, CDM22, CDM2, CDM