CGHV14800F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Cree, Inc.

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN

Ganar:

14 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 10 V to 2 V

Id - Corriente de drenaje continua:

24 A

Potencia de salida:

800 W

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

-

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 100 C

Pd - Disipación de energía:

-

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

440117

Embalaje:

Bandeja

Frecuencia de operación:

1.2 GHz to 1.4 GHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 40 C to + 100 C

Marca:

Velocidad de lobo / Cree

Transconductancia directa - Mín .:

-

Kit de desarrollo:

CGHV14800F-TB

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 3.8 V

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CGHV14, CGHV1, CGHV, CGH