ZXMN3AM832TA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

T

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

MLP-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

180 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

3 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

2 mm

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

2.9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

6.6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

1.7 ns

Unidad de peso:

0.010582 oz

Tags

ZXMN3AM8, ZXMN3AM, ZXMN3A, ZXMN3, ZXMN, ZXM