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ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA
Mfr. #:
ZXMN3A04DN8TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
Darlington Transistors MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
ZXMN3A04DN8TA Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Diodos incorporados
categoria de producto
FET: matrices
Serie
ZXMN3A
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Unidad de peso
0.002610 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-SO
Configuración
Dual Dual Drain
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
1.81W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
1890pF @ 15V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
6.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
20 mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs-th-Max-Id
1V @ 250μA (Min)
Puerta-Carga-Qg-Vgs
36.8nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
2.15 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
20.2 ns
Hora de levantarse
6.1 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
8.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
30 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
38.1 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
5.2 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
ZXMN3A04DN, ZXMN3A04D, ZXMN3A04, ZXMN3A0, ZXMN3A, ZXMN3, ZXMN, ZXM
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
ZXMN3A04DN8 Series Dual N-Channel 30 V 0.02 Ohm Power MOSFET SMT - SOIC-8
***ical
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
***ronik
N-CH 30V 9A 20mOhm SO-8
***ser
MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
ZXMN3A04DN8TA
DISTI # V72:2272_06708086		Zetex / Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
RoHS: Compliant		500
  • 75000:$0.8474
  • 30000:$0.8569
  • 15000:$0.8664
  • 6000:$0.8760
  • 3000:$0.8855
  • 1000:$0.8951
  • 500:$0.9047
  • 250:$1.0378
  • 100:$1.0488
  • 50:$1.3098
  • 25:$1.3237
  • 10:$1.3376
  • 1:$1.5777
ZXMN3A04DN8TA
DISTI # ZXMN3A04DN8CT-ND		Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		3435In Stock
  • 100:$1.4276
  • 10:$1.7770
  • 1:$1.9700
ZXMN3A04DN8TA
DISTI # ZXMN3A04DN8DKR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		3435In Stock
  • 100:$1.4276
  • 10:$1.7770
  • 1:$1.9700
ZXMN3A04DN8TA
DISTI # ZXMN3A04DN8TR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tape & Reel (TR)		3000In Stock
  • 500:$1.0780
ZXMN3A04DN8TA
DISTI # 29055441		Zetex / Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
RoHS: Compliant		500
  • 500:$0.9047
  • 250:$1.0378
  • 100:$1.0488
  • 50:$1.3098
  • 25:$1.3237
  • 10:$1.3376
ZXMN3A04DN8TA
DISTI # ZXMN3A04DN8TA		Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: ZXMN3A04DN8TA)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 500
Container: Reel		Americas - 0
  • 500:$0.7709
  • 1000:$0.7339
  • 2000:$0.6999
  • 3000:$0.6679
  • 5000:$0.6529
ZXMN3A04DN8TA
DISTI # 522-ZXMN3A04DN8TA		Diodes IncorporatedMOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS
RoHS: Compliant		933
  • 1:$1.6500
  • 10:$1.4000
  • 100:$1.1200
  • 500:$0.9810
ZXMN3A04DN8TAZetex / Diodes Inc 7122
    ZXMN3A04DN8TA
    DISTI # C1S205700143848    		Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
    RoHS: Compliant    		500
    • 100:$1.0488
    • 50:$1.3098
    • 25:$1.3237
    • 10:$1.3376
    • 1:$1.5777
    Imagen Parte # Descripción
    ZXMN3AM832TA

    Mfr.#: ZXMN3AM832TA

    OMO.#: OMO-ZXMN3AM832TA

    		 MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS
    ZXMN3A01E6TA

    Mfr.#: ZXMN3A01E6TA

    OMO.#: OMO-ZXMN3A01E6TA-DIODES

    		 Nuevo y original
    ZXMN3A01FTC

    Mfr.#: ZXMN3A01FTC

    OMO.#: OMO-ZXMN3A01FTC-DIODES

    		 MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
    ZXMN3A03E6

    Mfr.#: ZXMN3A03E6

    OMO.#: OMO-ZXMN3A03E6-1190

    		 MOSFET, N CHANNEL, 30V, 4.6A, SOT-23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:4.6A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.05ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,
    ZXMN3A06DN8

    Mfr.#: ZXMN3A06DN8

    OMO.#: OMO-ZXMN3A06DN8-1190

    		 Nuevo y original
    ZXMN3A14FTC

    Mfr.#: ZXMN3A14FTC

    OMO.#: OMO-ZXMN3A14FTC-1190

    		 Nuevo y original
    ZXMN3AM832AT

    Mfr.#: ZXMN3AM832AT

    OMO.#: OMO-ZXMN3AM832AT-1190

    		 Nuevo y original
    ZXMN3A01ZTA-CUT TAPE

    Mfr.#: ZXMN3A01ZTA-CUT TAPE

    OMO.#: OMO-ZXMN3A01ZTA-CUT-TAPE-1190

    		 Nuevo y original
    ZXMN3A01ZTA

    Mfr.#: ZXMN3A01ZTA

    OMO.#: OMO-ZXMN3A01ZTA-DIODES

    		 IGBT Transistors MOSFET 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
    ZXMN3A04KTC

    Mfr.#: ZXMN3A04KTC

    OMO.#: OMO-ZXMN3A04KTC-DIODES

    		 MOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    3500
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de ZXMN3A04DN8TA es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    0,98 US$
    0,98 US$
    10
    0,93 US$
    9,30 US$
    100
    0,88 US$
    88,14 US$
    500
    0,83 US$
    416,20 US$
    1000
    0,78 US$
    783,50 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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