NSVBCP56-10T3G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

100 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

500 mV

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

130 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

160 at 150 mA, 2 V

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

63 at 150 mA, 2 V

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

Transistores

Tags

NSVBCP, NSVBC, NSVB, NSV