TK8Q65W,S1Q

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

550 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

16 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

80 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

DTMOSIV

Embalaje:

Tubo

Altura:

6.1 mm

Longitud:

6.65 mm

Serie:

TK8Q65W

Ancho:

2.3 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

75

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

60 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

40 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

TK8Q65, TK8Q, TK8