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TK8Q60W,S1VQ

TK8Q60W,S1VQ
Mfr. #:
TK8Q60W,S1VQ
Fabricante:
Toshiba
Descripción:
MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TK8Q60W,S1VQ Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK8Q60W,S1VQ DatasheetTK8Q60W,S1VQ Datasheet (P4-P6)TK8Q60W,S1VQ Datasheet (P7-P9)TK8Q60W,S1VQ Datasheet (P10)
ECAD Model:
Más información:
TK8Q60W,S1VQ más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-251-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
600 V
Id - Corriente de drenaje continua:
8 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
420 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
3.7 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
30 V
Qg - Carga de puerta:
18.5 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
80 W
Configuración:
Único
Nombre comercial:
DTMOSIV
Altura:
6.1 mm
Longitud:
6.65 mm
Serie:
TK8Q60W
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
2.3 mm
Marca:
Toshiba
Otoño:
5.5 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
20 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
75
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
70 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
40 ns
Unidad de peso:
0.139332 oz
Tags
TK8Q60W, TK8Q60, TK8Q, TK8
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***roFlash
X35 Pb-F Power Mosfet Transistor Ipak(Os) Moq=2000 Pd=80W F=1Mhz Rohs Compliant: Yes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
***et
DTMOSIV_600V_500MOHM MAX(VGS=10V)_IPAK
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TK8Q60W,S1VQ
DISTI # V99:2348_13896232		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
RoHS: Compliant		75
  • 100:$1.6162
  • 25:$1.6665
  • 10:$1.8724
  • 1:$2.0964
TK8Q60W,S1VQ
DISTI # TK8Q60WS1VQ-ND		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N CH 600V 8A IPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 75
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 75:$2.0020
TK8Q60W,S1VQ
DISTI # 30335003		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
RoHS: Compliant		75
  • 25:$1.6278
  • 10:$1.8269
  • 7:$2.0450
TK8Q60WS1VQ
DISTI # TK8Q60W,S1VQ		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N 600V 8A 3-Pin IPAK Tube - Rail/Tube (Alt: TK8Q60W,S1VQ)
RoHS: Compliant
Min Qty: 75
Container: Tube		Americas - 0
  • 75:$1.0900
  • 150:$0.9900
  • 300:$0.9900
  • 450:$0.8900
  • 750:$0.8900
TK8Q60W,S1VQ
DISTI # 757-TK8Q60WS1VQ		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
RoHS: Compliant		0
  • 1:$2.2600
  • 10:$1.8200
  • 100:$1.4600
  • 500:$1.2800
  • 1000:$1.0600
  • 2500:$0.9830
  • 5000:$0.9470
TK8Q60W,S1VQ
DISTI # C1S751200954270		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs
RoHS: Compliant		75
  • 25:$1.6278
  • 10:$1.8269
TK8Q60W,S1VQ(S
DISTI # C1S751201057495		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs150
  • 100:$2.1600
  • 50:$2.2600
TK8Q60WS1VQToshiba America Electronic ComponentsMOSFET 600V 500MOHM VGS=10VIPAK
RoHS: Compliant		Americas -
    TK8Q60W,S1VQToshiba America Electronic ComponentsMOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
    RoHS: Compliant    		Americas -
      Imagen Parte # Descripción
      TK8Q60W,S1VQ

      Mfr.#: TK8Q60W,S1VQ

      OMO.#: OMO-TK8Q60W-S1VQ

      		 MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
      TK8Q60W,S1VQ

      Mfr.#: TK8Q60W,S1VQ

      OMO.#: OMO-TK8Q60W-S1VQ-TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

      		 Darlington Transistors MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
      TK8Q60V

      Mfr.#: TK8Q60V

      OMO.#: OMO-TK8Q60V-1190

      		 Nuevo y original
      TK8Q60W

      Mfr.#: TK8Q60W

      OMO.#: OMO-TK8Q60W-1190

      		 Nuevo y original
      TK8Q60W,S1VQ(S

      Mfr.#: TK8Q60W,S1VQ(S

      OMO.#: OMO-TK8Q60W-S1VQ-S-1190

      		 Nuevo y original
      TK8Q60WS1VQ

      Mfr.#: TK8Q60WS1VQ

      OMO.#: OMO-TK8Q60WS1VQ-1190

      		 Trans MOSFET N 600V 8A 3-Pin IPAK Tube - Rail/Tube (Alt: TK8Q60W,S1VQ)
      TK8Q60WS1VQ-ND

      Mfr.#: TK8Q60WS1VQ-ND

      OMO.#: OMO-TK8Q60WS1VQ-ND-1190

      		 Nuevo y original
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      3000
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de TK8Q60W,S1VQ es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      2,26 US$
      2,26 US$
      10
      1,82 US$
      18,20 US$
      100
      1,46 US$
      146,00 US$
      500
      1,28 US$
      640,00 US$
      1000
      1,06 US$
      1 060,00 US$
      2500
      0,98 US$
      2 457,50 US$
      5000
      0,95 US$
      4 735,00 US$
      10000
      0,91 US$
      9 100,00 US$
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