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VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N
Mfr. #:
VS-ETF150Y65N
Fabricante:
Vishay Semiconductors
Descripción:
IGBT Modules 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
VS-ETF150Y65N Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
VS-ETF150Y65N DatasheetVS-ETF150Y65N Datasheet (P4-P6)VS-ETF150Y65N Datasheet (P7-P9)VS-ETF150Y65N Datasheet (P10-P12)VS-ETF150Y65N Datasheet (P13)
ECAD Model:
Más información:
VS-ETF150Y65N más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Vishay
Categoria de producto:
Módulos IGBT
RoHS:
Y
Producto:
Módulos de silicio IGBT
Configuración:
Medio puente
Voltaje colector-emisor VCEO Max:
650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:
1.7 V
Corriente continua del colector a 25 C:
201 A
Corriente de fuga puerta-emisor:
600 nA
Pd - Disipación de energía:
600 W
Paquete / Caja:
EMIPAK-2B
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Embalaje:
Tubo
Marca:
Semiconductores Vishay
Estilo de montaje:
Montaje en chasis
Voltaje máximo del emisor de puerta:
20 V
Tipo de producto:
Módulos IGBT
Cantidad de paquete de fábrica:
60
Subcategoría:
IGBT
Tags
VS-ETF, VS-ET, VS-E
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans IGBT Module N-CH 650V 201A 600000mW 33-Pin EMIPAK-2B PressFit
***ure Electronics
EMIPAK 2B PressFit Power Module
***S
new, original packaged
***i-Key
IGBT MOD 650V 201A 600W
IGBT Power Modules
Vishay IGBT Power Modules feature trench PT IGBT technology and are geared toward TIG welding machines. These IGBTs combine Hexfred and Fret PT diode technology and meet UL standards. Features like INT-A-PAK allow for designs with limited height requirements on the board that needs high voltages and currents.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
VS-ETF150Y65N
DISTI # V99:2348_17752435		Vishay IntertechnologiesOUTPUT & SW MODULES - EMIPAK 248
  • 10:$81.3800
  • 1:$88.9200
VS-ETF150Y65N
DISTI # VS-ETF150Y65NGI-ND		Vishay SemiconductorsIGBT 650V 150A EMIPAK-2B
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Box		9In Stock
  • 100:$61.6397
  • 25:$66.5888
  • 10:$68.3890
  • 1:$71.9900
VS-ETF150Y65N
DISTI # 25906702		Vishay IntertechnologiesOUTPUT & SW MODULES - EMIPAK 248
  • 10:$87.4835
  • 1:$95.5890
VS-ETF150Y65N
DISTI # 78-VS-ETF150Y65N		Vishay IntertechnologiesIGBT Modules 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge
RoHS: Compliant		0
  • 1:$70.7100
  • 5:$69.3100
  • 10:$66.4100
  • 25:$64.2700
  • 50:$63.4100
  • 100:$59.9800
Imagen Parte # Descripción
A2C35S12M3-F

Mfr.#: A2C35S12M3-F

OMO.#: OMO-A2C35S12M3-F

 IGBT Modules ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
FPF2C8P2NL07A

Mfr.#: FPF2C8P2NL07A

OMO.#: OMO-FPF2C8P2NL07A

 IGBT Modules PIM F2 NPC 650V 50A
FPF2C8P2NL07A

Mfr.#: FPF2C8P2NL07A

OMO.#: OMO-FPF2C8P2NL07A-ON-SEMICONDUCTOR

 IC LOAD SWITCH 650V 50A
A2C35S12M3-F

Mfr.#: A2C35S12M3-F

OMO.#: OMO-A2C35S12M3-F-STMICROELECTRONICS

 IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2
Disponibilidad
Valores:
60
En orden:
2043
Ingrese la cantidad:
El precio actual de VS-ETF150Y65N es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
70,71 US$
70,71 US$
5
69,31 US$
346,55 US$
10
66,41 US$
664,10 US$
25
64,27 US$
1 606,75 US$
50
63,41 US$
3 170,50 US$
100
59,98 US$
5 998,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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