2N7002H6327XT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

300 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

600 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

200 mS

Otoño:

3.1 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

5.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3 ns

Parte # Alias:

2N7002 2N7002H6327XTSA2 H6327 SP000929182

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

2N7002H6, 2N7002H, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7