NE3210S01

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

CEL

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HFET

Tecnología:

GaAs

Ganar:

13.5 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 3 V

Id - Corriente de drenaje continua:

70 mA

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 125 C

Pd - Disipación de energía:

165 mW

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-1

Embalaje:

A granel

Frecuencia de operación:

12 GHz

Producto:

RF JFET

Escribe:

GaAs HFET

Marca:

CEL

Transconductancia directa - Mín .:

55 mS

Voltaje de corte de puerta-fuente:

2 V

NF - Figura de ruido:

0.35 dB

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

Transistores

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