ALD111933PAL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Dispositivos lineales avanzados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

PDIP-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

10 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.9 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

500 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.25 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10.6 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

0 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 70 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

ALD111933P

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Marca:

Dispositivos lineales avanzados

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.032805 oz

Tags

ALD11193, ALD1119, ALD111, ALD11, ALD1, ALD