ALD1115SAL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Dispositivos lineales avanzados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

10 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.8 mA, 2 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

350 Ohms, 1.2 kOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10.6 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

0 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 70 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

ALD1115S

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Marca:

Dispositivos lineales avanzados

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.002998 oz

Tags

ALD1115, ALD111, ALD11, ALD1, ALD