FDFMA3P029Z

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

MicroFET-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

87 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.9 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

7.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.4 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

2 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

2 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

6 S

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.2 ns

Unidad de peso:

0.002116 oz

Tags

FDFMA3, FDFMA, FDFM, FDF