NTD4960N-1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

11.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.1 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

11 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 85 C

Pd - Disipación de energía:

1.68 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

48 S

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

75

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

NTD4960, NTD496, NTD49, NTD4, NTD