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TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6
Mfr. #:
TH58BYG3S0HBAI6
Fabricante:
Toshiba Memory
Descripción:
NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TH58BYG3S0HBAI6 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
NAND Flash
RoHS:
Y
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
FBGA-67
Tamaño de la memoria:
8 Gbit
Tipo de interfaz:
Parallel
Organización:
1 G x 8
Tipo de tiempo:
Sincrónico
Ancho del bus de datos:
8 bit
Voltaje de suministro - Min:
1.7 V
Voltaje de suministro - Máx:
1.95 V
Corriente de suministro - Máx .:
30 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Embalaje:
Bandeja
Tipo de memoria:
NAND
Producto:
NAND Flash
Velocidad:
25 ns
Marca:
Memoria Toshiba
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
NAND Flash
Cantidad de paquete de fábrica:
338
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Tags
TH58BYG3, TH58BY, TH58B, TH58, TH5
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
NAND Flash Parallel 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA
***et
8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V
***i-Key
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TH58BYG3S0HBAI6
DISTI # V99:2348_18843079		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Serial 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA147
  • 100:$5.8000
  • 50:$6.2310
  • 10:$6.4330
  • 1:$7.0270
TH58BYG3S0HBAI6
DISTI # TH58BYG3S0HBAI6-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 338:$8.0750
TH58BYG3S0HBAI6
DISTI # TH58BYG3S0HBAI6		Toshiba America Electronic Components8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TH58BYG3S0HBAI6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray		Americas - 0
  • 338:$7.3900
  • 676:$7.2900
  • 1352:$7.0900
  • 2028:$6.9900
  • 3380:$6.7900
TH58BYG3S0HBAI6
DISTI # 757-TH58BYG3S0HBAI6		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		310
  • 1:$11.8800
  • 10:$10.6900
  • 25:$9.7400
  • 100:$8.7900
  • 250:$8.0800
  • 500:$7.3700
  • 1000:$6.4200
Imagen Parte # Descripción
THGAMRT0T43BAIR

Mfr.#: THGAMRT0T43BAIR

OMO.#: OMO-THGAMRT0T43BAIR

 eMMC 128GB eMMC 5.1 3D BiCS -25C to 85C
THGBMHT0C8LBAIG

Mfr.#: THGBMHT0C8LBAIG

OMO.#: OMO-THGBMHT0C8LBAIG

 eMMC 128GB 15nm eMMC (EEPROM)
TH58NVG5S0FTA20

Mfr.#: TH58NVG5S0FTA20

OMO.#: OMO-TH58NVG5S0FTA20

 NAND Flash 3.3V 32Gb 32nm SLC NAND (EEPROM)
TC58CYG0S3HRAIG

Mfr.#: TC58CYG0S3HRAIG

OMO.#: OMO-TC58CYG0S3HRAIG

 NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm Serial NAND
TC58BYG1S3HBAI6

Mfr.#: TC58BYG1S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58BYG1S3HBAI6

 NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG0S3HBAI6

Mfr.#: TC58BVG0S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58BVG0S3HBAI6

 NAND Flash 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG1S3EBAI5

Mfr.#: TC58NVG1S3EBAI5

OMO.#: OMO-TC58NVG1S3EBAI5

 NAND Flash 3.3V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
THGAF8G8T23BAIL

Mfr.#: THGAF8G8T23BAIL

OMO.#: OMO-THGAF8G8T23BAIL

 Universal Flash Storage (UFS) 32GB 1166MB/s Gen 6 UFS 2.1
THGAF8T1T83BAIR

Mfr.#: THGAF8T1T83BAIR

OMO.#: OMO-THGAF8T1T83BAIR

 Universal Flash Storage (UFS) 256GB 1166MB/s Gen 6 UFS 2.1
TC58CYG0S3HRAIG

Mfr.#: TC58CYG0S3HRAIG

OMO.#: OMO-TC58CYG0S3HRAIG-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 SLC NAND with SPI Interface
Disponibilidad
Valores:
190
En orden:
2173
Ingrese la cantidad:
El precio actual de TH58BYG3S0HBAI6 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
8,40 US$
8,40 US$
10
7,73 US$
77,30 US$
25
7,57 US$
189,25 US$
50
7,55 US$
377,50 US$
100
6,77 US$
677,00 US$
250
6,56 US$
1 640,00 US$
500
6,24 US$
3 120,00 US$
1000
6,02 US$
6 020,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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