FDN308P_F154

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SSOT-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

136 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

3.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.12 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

FDN308P

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.4 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

12 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Unidad de peso:

0.001058 oz

Tags

FDN308P, FDN308, FDN30, FDN3, FDN