CGHV14250F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Cree, Inc.

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN

Ganar:

18.6 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 10 V to 2 V

Id - Corriente de drenaje continua:

18 A

Potencia de salida:

330 W

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

-

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 130 C

Pd - Disipación de energía:

-

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

440162

Embalaje:

Tubo

Solicitud:

-

Configuración:

Único

Altura:

3.78 mm

Longitud:

20.45 mm

Frecuencia de operación:

1.2 GHz to 1.4 GHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

-

Producto:

GaN HEMT

Ancho:

10.29 mm

Marca:

Velocidad de lobo / Cree

Transconductancia directa - Mín .:

-

Voltaje de corte de puerta-fuente:

-

Clase:

-

Kit de desarrollo:

CGHV14250F-TB

Otoño:

-

NF - Figura de ruido:

-

P1dB - Punto de compresión:

-

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

-

Hora de levantarse:

-

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

Transistores

Tiempo de retardo de apagado típico:

-

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 3 V

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