IXFA4N100P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.3 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

6 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

26 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

150 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

4.83 mm

Longitud:

9.65 mm

Serie:

IXFA4N100

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET Polar HiPerFET Power

Ancho:

10.41 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

1.8 S

Otoño:

50 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

36 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

37 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

24 ns

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IXFA4N100P, IXFA4N1, IXFA4, IXFA, IXF