FDMA1023PZ-F106

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

MicroFET-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

60 mOhms, 60 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

12 nC, 12 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

FDMA1023PZ

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

12 S, 12 S

Otoño:

37 ns, 37 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

64 ns, 64 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns, 9 ns

Parte # Alias:

FDMA1023PZ_F106

Tags

FDMA1023PZ, FDMA1023, FDMA102, FDMA10, FDMA1, FDMA, FDM