IRF7807VD2PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

25 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

9.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

FETKY MOSFET y diodo Schottky

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Otoño:

2.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

95

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

11 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.3 ns

Parte # Alias:

SP001575258

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

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