DMS3015SSS-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

11 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

30.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.55 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

DIOFET

Embalaje:

Carrete

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

DMS30

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

18 S

Otoño:

13.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

27.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

29.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15.8 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

DMS3015, DMS301, DMS30, DMS3, DMS