CGHV35150F

CGHV35150F
Mfr. #:
CGHV35150F
Fabricante:
N/A
Descripción:
RF MOSFET HEMT 50V 440193
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
CGHV35150F Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
CGHV35150F más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Velocidad de lobo / Cree
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Tubo
Estilo de montaje
Tornillo
Rango de temperatura de funcionamiento
-
Paquete-Estuche
440193
Tecnología
GaN SiC
Configuración
Único
Tipo transistor
HEMT
Ganar
13.3 dB
Clase
-
Potencia de salida
170 W
Disipación de potencia Pd
-
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 40 C
Solicitud
-
Frecuencia de operación
3.1 GHz to 3.5 GHz
Id-corriente-de-drenaje-continua
12 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
150 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
- 3 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
-
Polaridad del transistor
Canal N
Transconductancia directa-Mín.
-
Kit de desarrollo
CGHV35150-TB
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 10 V to + 2 V
Tensión de corte de fuente de puerta
-
Voltaje de puerta de drenaje máximo
-
Figura de ruido NF
-
P1dB-Punto de compresión
-
Tags
CGHV3515, CGHV351, CGHV35, CGHV3, CGHV, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
FET RF 125V 3.5GHZ 440193
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
CGHV35150F
DISTI # CGHV35150F-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 50V 440193
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
14In Stock
  • 1:$364.8000
CGHV35150-TB
DISTI # CGHV35150-TB-ND
WolfspeedTEST FIXTURE FOR CGHV35150F
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
3In Stock
  • 1:$550.0000
CGHV35150F
DISTI # 941-CGHV35150F
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
RoHS: Compliant
46
  • 1:$364.8000
CGHV35150F
DISTI # CGHV35150F
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 1:$364.8000
Imagen Parte # Descripción
CGHV35400F

Mfr.#: CGHV35400F

OMO.#: OMO-CGHV35400F

RF JFET Transistors GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
CGHV35060MP

Mfr.#: CGHV35060MP

OMO.#: OMO-CGHV35060MP

RF JFET Transistors GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt
CGHV35150-TB

Mfr.#: CGHV35150-TB

OMO.#: OMO-CGHV35150-TB

RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
CGHV31500F

Mfr.#: CGHV31500F

OMO.#: OMO-CGHV31500F-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V 440217
CGHV35150

Mfr.#: CGHV35150

OMO.#: OMO-CGHV35150-1190

Nuevo y original
CGHV31500F-TB

Mfr.#: CGHV31500F-TB

OMO.#: OMO-CGHV31500F-TB-WOLFSPEED

TEST FIXTURE FOR CGHV31500F
CGHV35400F-TB

Mfr.#: CGHV35400F-TB

OMO.#: OMO-CGHV35400F-TB-WOLFSPEED

TEST FIXTURE FOR CGHV35400F
CGHV35150F

Mfr.#: CGHV35150F

OMO.#: OMO-CGHV35150F-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V 440193
CGHV35400F

Mfr.#: CGHV35400F

OMO.#: OMO-CGHV35400F-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 45V 440210
CGHV35060MP

Mfr.#: CGHV35060MP

OMO.#: OMO-CGHV35060MP-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
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Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
547,20 US$
547,20 US$
10
519,84 US$
5 198,40 US$
100
492,48 US$
49 248,00 US$
500
465,12 US$
232 560,00 US$
1000
437,76 US$
437 760,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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