CGHV35060MP

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Cree, Inc.

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN

Ganar:

14.5 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 10 V, 2 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10.4 A

Potencia de salida:

75 W

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

50 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 107 C

Pd - Disipación de energía:

52 W

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Embalaje:

Carrete

Solicitud:

Estaciones base de radar de banda S y LTE

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

3.5 GHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 40 C to + 107 C

Marca:

Velocidad de lobo / Cree

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 3 V

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CGHV35, CGHV3, CGHV, CGH