PMDPB85UPE,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-2020-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

82 mOhms, 82 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

950 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

8.1 nC, 8.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.17 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

6 S, 6 S

Otoño:

21 ns, 21 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

47 ns, 47 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns, 6 ns

Tags

PMDPB85, PMDPB8, PMDPB, PMDP, PMD