APT95GR65JDU60

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de silicio IGBT

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

650 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2.6 V

Corriente continua del colector a 25 C:

135 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

250 nA

Pd - Disipación de energía:

446 W

Paquete / Caja:

ISOTOP-4

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Marca:

Microchip / Microsemi

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Voltaje máximo del emisor de puerta:

30 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

IGBT

Tags

APT9, APT