SIZ926DT-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAIR-6x5-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

40 A, 60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.2 mOhms, 4.8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 12 V, 16 V

Qg - Carga de puerta:

12.5 nC, 27 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

20.2 W, 40 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

TAMAÑO

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

40 S, 55 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns, 17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns, 10 ns

Tags

SIZ92, SIZ9, SiZ