QPD2730

QPD2730
Mfr. #:
QPD2730
Fabricante:
Qorvo
Descripción:
RF JFET Transistors 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
QPD2730 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
QPD2730 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
HEMT
Tecnología:
GaN SiC
Ganar:
16 dB
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
48 V
Id - Corriente de drenaje continua:
210 mA
Potencia de salida:
36 W
Voltaje máximo de la puerta de drenaje:
55 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Pd - Disipación de energía:
18.6 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
NI780-4
Embalaje:
Gofre
Configuración:
Doble
Frecuencia de operación:
2.575 GHz to 2.635 GHz
Rango de temperatura de funcionamiento:
- 40 C to + 85 C
Serie:
QPD
Marca:
Qorvo
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
25
Subcategoría:
Transistores
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
- 2.7 V, - 4.75 V
Parte # Alias:
1131813
Tags
QPD273, QPD27, QPD2, QPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***W
RF Transistor, Power, 2.575 - 2.635 GHz, 53.5 dBm, 15.9 dB, 48 V, GaN, N-780 Ceramic Pkg
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
QPD2730
DISTI # 772-QPD2730
QorvoRF JFET Transistors 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
RoHS: Compliant
26
  • 1:$165.5500
  • 25:$144.4800
Imagen Parte # Descripción
QPD1008L

Mfr.#: QPD1008L

OMO.#: OMO-QPD1008L

RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
QPD2796

Mfr.#: QPD2796

OMO.#: OMO-QPD2796

RF JFET Transistors 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V
QPD1019

Mfr.#: QPD1019

OMO.#: OMO-QPD1019

RF JFET Transistors 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
QPD2195SR

Mfr.#: QPD2195SR

OMO.#: OMO-QPD2195SR

RF JFET Transistors 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
QPD1025L

Mfr.#: QPD1025L

OMO.#: OMO-QPD1025L-1152

RF JFET Transistors 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
QPDD740001401

Mfr.#: QPDD740001401

OMO.#: OMO-QPDD740001401-1190

Nuevo y original
QPDS-9922-200

Mfr.#: QPDS-9922-200

OMO.#: OMO-QPDS-9922-200-1190

Nuevo y original
QPDS-T905

Mfr.#: QPDS-T905

OMO.#: OMO-QPDS-T905-1190

Nuevo y original
QPDS-T907

Mfr.#: QPDS-T907

OMO.#: OMO-QPDS-T907-1190

Nuevo y original
QPD1009-EVB1

Mfr.#: QPD1009-EVB1

OMO.#: OMO-QPD1009-EVB1-1152

RF Development Tools DC-4GHz 15W 28-50V Eval Board
Disponibilidad
Valores:
26
En orden:
2009
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
165,55 US$
165,55 US$
25
144,48 US$
3 612,00 US$
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