FQB7N60TM-WS

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.13 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

QFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.83 mm

Longitud:

10.67 mm

Serie:

FQB7N60

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

60 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

80 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

65 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

30 ns

Parte # Alias:

FQB7N60TM_WS

Tags

FQB7N60T, FQB7N60, FQB7N6, FQB7N, FQB7, FQB