CSD13303W1015

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DSBGA-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

20 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

850 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

3.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.65 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.625 mm

Longitud:

1.5 mm

Serie:

CSD13303W1015

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

14 S

Otoño:

3.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.6 ns

Unidad de peso:

0.000060 oz

Tags

CSD1330, CSD133, CSD13, CSD1, CSD