CSD22202W15

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DSBGA-9

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

8 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

17.4 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

6 V

Qg - Carga de puerta:

6.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.62 mm

Longitud:

1.5 mm

Serie:

CSD22202W15

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.5 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Otoño:

38 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8.4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

109 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10.4 ns

Unidad de peso:

0.000088 oz

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CSD222, CSD22, CSD2, CSD