2N6316

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-66-2

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

80 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2 V

Corriente máxima del colector de CC:

15 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

4 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Serie:

2N6316

Ganancia de corriente CC hFE Max:

100 at 2.5 A, 4 V

Embalaje:

Tubo

Marca:

Semiconductor central

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

20 at 500 mA, 4 V

Pd - Disipación de energía:

90 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2N6316 PBFREE

Unidad de peso:

0.206000 oz

Tags

2N631, 2N63, 2N6