IXFN280N085

IXFN280N085
Mfr. #:
IXFN280N085
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
MOSFET 280 Amps 85V 0.0044 Rds
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXFN280N085 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
Módulo
Serie
HiPerFET
embalaje
Tubo
Unidad de peso
1.340411 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
HyperFET
Paquete-Estuche
SOT-227-4, miniBLOC
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en chasis
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
SOT-227B
Configuración
Fuente dual única
Tipo FET
Canal N MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
700W
Tipo transistor
1 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
85V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
19000pF @ 25V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
280A
Rds-On-Max-Id-Vgs
4.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs-th-Max-Id
4V @ 8mA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
580nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
700 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
33 ns
Hora de levantarse
95 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
280 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
85 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
4.4 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
200 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
140 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
IXFN2, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXFN280N085
DISTI # V36:1790_16260678
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
RoHS: Compliant
0
  • 1:$37.1500
IXFN280N085
DISTI # IXFN280N085-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube
Limited Supply - Call
    IXFN280N085
    DISTI # 747-IXFN280N085
    IXYS CorporationMOSFET 280 Amps 85V 0.0044 Rds
    RoHS: Compliant
    0
    • 100:$30.8200
    • 200:$28.7700
    Imagen Parte # Descripción
    IXFN26N120P

    Mfr.#: IXFN26N120P

    OMO.#: OMO-IXFN26N120P

    MOSFET 26 Amps 1200V
    IXFN220N20X3

    Mfr.#: IXFN220N20X3

    OMO.#: OMO-IXFN220N20X3

    MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLAS (MI
    IXFN20N120P

    Mfr.#: IXFN20N120P

    OMO.#: OMO-IXFN20N120P

    MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds
    IXFN27N80

    Mfr.#: IXFN27N80

    OMO.#: OMO-IXFN27N80

    MOSFET 800V 27A
    IXFN26N90

    Mfr.#: IXFN26N90

    OMO.#: OMO-IXFN26N90

    MOSFET 900V 26A
    IXFN27N80Q

    Mfr.#: IXFN27N80Q

    OMO.#: OMO-IXFN27N80Q

    MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
    IXFN230N20T

    Mfr.#: IXFN230N20T

    OMO.#: OMO-IXFN230N20T-IXYS-CORPORATION

    MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
    IXFN27N80

    Mfr.#: IXFN27N80

    OMO.#: OMO-IXFN27N80-IXYS-CORPORATION

    MOSFET 800V 27A
    IXFN24N90Q

    Mfr.#: IXFN24N90Q

    OMO.#: OMO-IXFN24N90Q-IXYS-CORPORATION

    MOSFET 24 Amps 900V 0.45W Rds
    IXFN20N120

    Mfr.#: IXFN20N120

    OMO.#: OMO-IXFN20N120-IXYS-CORPORATION

    MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    4500
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    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    43,16 US$
    43,16 US$
    10
    41,00 US$
    409,97 US$
    100
    38,84 US$
    3 883,95 US$
    500
    36,68 US$
    18 340,90 US$
    1000
    34,52 US$
    34 524,00 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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